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全球第一家!臺積電官宣2nm工藝!

發布時間:2019-06-19   瀏覽量:524

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    這幾年,雖然摩爾定律基本失效或者說越來越遲緩,但是在半導體工藝上,幾大巨頭卻是殺得興起。Intel終于進入10nm工藝時代并將在后年轉入7nm,臺積電、三星則紛紛完成了7nm工藝的布局并奔向5nm、3nm。

    現在,臺積電又官方宣布,正式啟動2nm工藝的研發,工廠設置在位于臺灣新竹的南方科技園,預計2024年投入生產,時間節奏上還是相當的快。

    按照臺積電給出的指標,2nm工藝是一個重要節點,Metal Track(金屬單元高度)和3nm一樣維持在5x,同時Gate Pitch(晶體管柵極間距)縮小到30nm,Metal Pitch(金屬間距)縮小到20nm,相比于3nm都小了23%。

    臺積電沒有透露2nm工藝所需要的技術和材料,看晶體管結構示意圖和目前并沒有明顯變化,能在硅半導體工藝上繼續壓榨到如此地步真是堪稱奇跡,接下來就看能不能做到1nm了。

    當然,在那之前,臺積電還要接連經歷7nm+、6nm、5nm、3nm等多個工藝節點。

    其中,7nm+首次引入EUV極紫外光刻技術,目前已經投入量產;6nm只是7nm的一個升級版,明年第一季度試產;5nm全面導入極紫外光刻,已經開始風險性試產,|中國半導體論壇公眾號|明年底之前量產,蘋果A14、AMD五代銳龍(Zen 4都有望采納);3nm有望在2021年試產、2022年量產。

    三星也早就規劃到了3nm,預期2021年量產。

 

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